| 초록 |
반도체 공정 중 화학기상증착(CVD) 세정 공정과 Etching 공정 중 많이 발생하는 PFCs(Perfluorocompounds)는 지구온난화 유발물질로 이의 사용을 줄이고자하는 움직임이 늘고 있다. 특히 에칭 시 사용되는 CF4, C2F6, C3F8, C4F8 등과 같은 가스들은 GWP(지구온난화지수)가 높은 물질들로 이들의 대체물질로 GWP가 매우 낮은 C3F6(Hexafluoropropylene)이 매우 유력한 후보 대체물질 이다. C3F6은 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 열분해 시 발생되는 폐가스를 증류하여 얻어지는 PFCs 중 대부분을 차지하고 있으며, HFP 외 존재하게 되는 Hexafluoro-2-butyne과 같은 불순물들을 제거함으로써 고순도로 정제할 수 있다. 본 실험에서는 HFP 외 존재하는 불순물들을 Carbon molecular sieve(CMS) 및 여러 형태의 Molecular sieve를 이용하여 제거함으로써 고순도 HFP로 흡착정제 하고자 하였다. |
