| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2006년 봄 (04/06 ~ 04/07, 일산킨텍스) |
| 권호 |
31권 1호 |
| 발표분야 |
기능성 고분자 |
| 제목 |
Surface Mophology and Electrical Properties of P(VDF/TrFE)(72/28) and P(VDF/TrFE)(72/28)/PMMA blend Thin Film |
| 초록 |
VDF 함량이 50~85mole%인 P(VDF/TrFE)는 연신공정없이 용액주조만으로 강유전상이 형성되고 외부전장에 의한 비가역적인 CF dipole switching이 가능하기 때문에 비휘발성 강유전성 고분자 메모리 소자에 적용가능하다. P(VDF/TrFE) 박막에 데이터를 쓰기위해서는 1MV/cm 크기의 전압을 인가하여 dipole을 한 방향으로 배열시켜야하고 데이터를 지우기 위해서는 -1MV/cm의 전압을 인가하여 dipole을 반대방향으로 배열시켜야 한다. 그런데 두께가 100nm이하인 경우에는 용액주조과정에서 결정화에 의한 표면의 roughness의 증가 및 pinhole의 생성이 쉬어 메모리소자 제작 후 쓰기와 지우기 과정에서 electrical shortage가 쉽게 일어난다. 따라서 본 연구에서는 이 현상을 일으키는데 영향을 줄 수 있는 두께와 열처리 조건에 따른 P(VDF/TrFE)와 P(VDF/TrFE)/PMMA 블렌드 박막의 표면 모폴로지를 AFM으로 관찰하였으며, 그에 따른 전기적인 성질도 측정하였다. Acknowledgement : “This study was supported by "The National Research Program for the 0.1 Terabit Non-Volatile Memory Development Sponsored by Korea Ministry of Commerce, Industry and Energy". |
| 저자 |
이종순, 장유민, A. Anand Prabu, 김갑진
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| 소속 |
경희대 |
| 키워드 |
P(VDF/TrFE); PMMA; Electrical Properties; Mophology; AFM; P-E; C-E
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| E-Mail |
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