| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 가을 (11/06 ~ 11/08, 제주롯데호텔) |
| 권호 | 19권 2호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료(Optical Functional and Display Materials) |
| 제목 | Structural Properties of Annealed Al and Al/Ti contacts on n-GaN templates |
| 초록 | 본 연구에서는 MOCVD법으로 사파이어 기판에 성장된 n-GaN 박막 위에 DC 스퍼터링법으로 Al과 Ti를 선택 증착시켜 Al/n-GaN와 Al/Ti/n-GaN 구조를 제작하여 열처리에 따른 구조적 특성의 변화를 조사하였다. 우선 사파이어 기판 위에 성장된 n-GaN:Si 기판을 5 mm x 5 mm 의 크기로 절단하여 DC 스퍼터링 장치에 장착하고 6.0 x 10-6 torr 까지 진공을 배기한 후, Ar가스를 30 sccm으로 공급하여 공정압력을 3.2 x 10-3 torr 로 유지하면서 Ti과 Al을 약 5 ~ 10 nm 두께로 스퍼터링 하였다. Al/Ti와 Al이 증착된 n-GaN를 tube furnace를 이용하여 N2가스 분위기에서 700 ~ 900 ℃의 온도 범위에서 1 ~ 4 시간동안 열처리한 후 XPS와 TEM을 이용하여 구조적 성질을 조사하였으며, 전기적 성질은 반도체 파라미터분석기를 이용하여 조사하였다. 우선, 열처리 후에 Al의 결합에너지가 73 eV에서 74~74.5 eV로 이동하였고, Ti의 결합에너지는 454.6 eV에서 457.9~458.2 eV로 이동하였다. 이는 Al과 Ti 원자가 GaN 내부로 확산하여 AlN과 TiN 형태로 결합하게 됨으로써 결합에너지가 증가한 것으로 여겨진다. |
| 저자 | 전성호, 변창섭, 김선태 |
| 소속 | 한밭대 |
| 키워드 | GaN; Al/Ti/GaN; Al/GaN; DC sputtering |
