| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 | 7권 2호, p.5111 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Ga과 NH3의 직접반응에 의해 합성한 Mg 도핑 GaN 마이크로 결정의 특성 |
| 초록 | 본 연구는 많은 연구가 되고 있는 GaN 분말에 Mg를 도핑하고 도핑에 따른 특성을 알아보기 위한 연구이다. Mg를 도핑한 마이크로 GaN 결정은 Mg 도핑 물질로 MgCl2를 이용하여 금속 갈륨과 암모니아의 직접 반응에 의해 전기로에서 합성하였다. 합성한 마이크로 GaN의 결정 구조는 X선 회절, 주사 전자 현미경(SEM)을 이용하여 도핑하지 않은 GaN에 비해 큰 수십 마이크로의 육방정(hexagoanl) 형태의 판상과 프리즘 형태를 확인하였다. Mg 도핑제의 증가에 따라 결정의 크기가 ~100㎛ 이상으로 증가하였다. 상온에서의 PL을 측정 결과는 2.75eV에서 청색 발광을 하는 것을 알 수 있다. 또한, 투과 전자 현미경(TEM)을 이용한 분석에서 전자 회절 패턴의 결과는 도핑하지 않은 GaN의 경우 [101-0], Mg를 도핑한 경우에는 [0002] 방향으로의 결정 성장 방향이 더 우세함을 보여주고 있다. |
| 저자 | 이상현, 남기석 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | Mg 도핑; GaN |
| 원문파일 | 초록 보기 |
