| 초록 |
도핑 기술은 반도체의 전기적 특성을 최적화하여 반도체 전도도의 제어를 가능하게 한다. 유기물 반도체의 전기적인 도핑은 전하이동착물의 형성과 전하 분리의 두 단계로 이루어진다. 본 연구에서는 도펀트 분자와 호스트 분자를 적층하고 계면에서의 각 물질에 따른 HOMO, LUMO 에너지 별 전하이동 반응을 전기적, 광학적 방법으로 분석하였다. MoO3 박막 위에 증착된 여러 호스트 분자 및 N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB) 박막의 계면에서 형성된 전하이동착물의 형성 효율은 UV-vis spectrophotometer 를 통하여 분석 되었다. Transmission line measurement (TLM) 방식으로 측정된 전도도는 전하이동착물의 전하 분리 및 자유전하밀도의 증가로 계면에서 증가하였다. 온도별로 측정된 소자의 전도도 활성화 에너지는 gaussian disorder model을 토대로 전하 분리에 필요한 에너지 분석에 활용되었다. |
