| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 봄 (04/26 ~ 04/27, 강원대학교) |
| 권호 | 8권 1호, p.1073 |
| 발표분야 | 분체공학 |
| 제목 | TEOS/O2 플라즈마 반응기에서 실리카 미립자 성장분석 |
| 초록 | SiO2 막은 고집적회로 (VLSI)와 IC 칩 제작을 위한 절연막으로 사용되며 TEOS는 비 부식성과 비열분해성으로 취급이 용이하다는 장점과 SiH4에 비해 독성이 적고 제조된 산화 막은 좋은 균일성을 가지며 입자 생성율이 감소하는 장점들을 갔고 있어 SiO2 막 제조를 위한 전구체로서 많이 사용되고 있다. TEOS를 전구체로한 플라즈마 화학 기상 증착 (Plasma Chemical Vapor Deposition; PCVD) 공정에 의한 양질의 SiO2 막 제조 연구는 이 미 많이 수행되어왔으나 PCVD 공정에서의 미립자 오염에 대한 체계적인 연구는 아직 전무 한 상태이다. 본 연구에서는 SiO2 산화막 제조를 위한 TEOS/O2 플라즈마 반응기에서 미 립자 성장에 대해 실험적으로 분석하였다. 또한 공정 변수 변화가 미립자 성장에 미치는 영향을 분석하기 위해 공정 변수로서 TEOS 농도, 반응기 내 압력, 전체 기체 공급 유량, 공급 전력 등을 변화시켰다. |
| 저자 | 홍성택, 김동주, 김교선 |
| 소속 | 강원대 |
| 키워드 | 실리카 미립자; TEOS/O2 플라즈마 반응기; 미립자 성장 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
