| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (04/14 ~ 04/15, 전경련회관) |
| 권호 | 30권 1호, p.321 |
| 발표분야 | 유기반도체 |
| 제목 | Organic Thin Film Transistors on Compatible Polymer Gate Dielectrics |
| 초록 | Organic Thin Film Transistor (OTFT)는 기존의 실리콘 반도체에 비하여 저온 성막이나 용액공정 등의 값싸고 손쉬운 공정성과 재료자체가 가지는 유연성 등의 장점으로 인하여 최근 들어 급속도로 관심을 가지는 분야이다. 특히 Flexible display를 구현하기 위해서는 게이트 절연층으로 무기산화막이 아닌 낮은 온도에서 용액공정을 통하여 쉽게 제조할 수 있는 고분자 절연층을 사용하는 것은 필수적이라 할 수 있다. 본 연구에서는 active layer로서는 대표적인 곁가지 전도성 고분자인 Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)1,2을 이용하였다. 고분자 절연층 재료로서는 Poly(4-vinylphenol) (PVP)를 사용하고, cross-linker의 함량 및 경화조건을 변화시켜, 고분자 절연층의 표면 및 구조변화를 통하여 active layer 박막의 구조변화 및 field-effect mobility, on/off ratio등의 전기적 특성과의 상관관계를 grazing-incident X-ray differaction(GIXD), AFM등을 이용하여 체계적으로 규명하였다. 참고문헌 1. D. H. Kim, Y. D. Park, Y. Jang and K. Cho, Adv. Func. Mater. 15, 77 (2005) 2. H. Sirringhaus, P. J. Brown and R. H. Friend, Nature, 401, 685 (1999) |
| 저자 | 황민규, 조길원, 김도환, 장윤석 |
| 소속 | 포항공과대 |
| 키워드 | OTFT; Polymer Gate Dielectric; P3HT |
