| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2016년 봄 (05/18 ~ 05/20, 여수 디오션리조트 ) |
| 권호 |
22권 1호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 |
GaN계 Light Emitting Diode를 위한 AlGaN/GaN 다층박막의 Distributed Bragg Reflector 성장 연구 |
| 초록 |
가시 광 통신 기술은 최근까지 RF 통신에 밀려 주목 받지 못하였지만 LED 기술의 발전으로 인하여 현재는 LED 융합 기술로 많은 주목을 받고 있다. 가시광 통신 소자로서 각광 받고 있는 Resonant Cavity Light Emitting Diode(RC-LED)는 GaAs계 LED에서 많은 연구가 진행 되어 왔다. 하지만 GaN계 청색 LED가 개발되면서 blue파장 영역의 발광소자를 제조 할 수 있으며 RC-LED의 중요 구조인 Distributed Bragg Reflector(DBR) 연구가 많이 필요한 상황이다. 본 연구에서는 RC-LED에서 하부 DBR을 AlGaN/GaN 다층 박막으로 성장 시킴으로서 그 특성을 분석하였다. |
| 저자 |
정우섭, 김대식, 조승희, 김철, 변동진
|
| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
<P>RC-LED; DBR; AlGaN</P>
|
| E-Mail |
|
