| 초록 |
In-Sn-Ga-O 산화물 박막 트랜지스터를 Si/SiO2 박막 위에 제작하였다. 서로 다른 세 가지 열처리법 (UV/Ozone 조사, Thermal 열처리, UV/Ozone 및 Thermal 열처리 동시)을 이용하여 소자 후속 열처리를 진행하였다. 열처리 온도는 모두 150도에서 진행되었다. 그 결과, Thermal 및 UV/Ozone 단독 후처리의 경우에는 소자 특성이 크게 개선되지 않았으나, 두 후처리를 동시에 가한 결과 큰 특성 향상이 관찰되었다 (전계 이동도 ＞ 20cm2/Vs). XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) 분석 결과, 두 열처리 대비 oxygen-deficient peak이 감소하고, O-H peak이 증가하는 현상을 관찰하였다. 이는 자유 전자의 증가 및 트랜지스터 trap site의 감소를 의미하며, PBS (Positive Bias Stress) 측정 결과 다른 열처리 대비 UV/Ozone 열처리 소자의 문턱전압 (Vth) 변화가 개선되었음을 확인할 수 있었다. |
