| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2008년 가을 (11/12 ~ 11/14, ICC 제주) |
| 권호 | 12권 2호 |
| 발표분야 | 정보전자소재 |
| 제목 | 고개구율의 a-Si:H TFT-LCD를 위한 새로운 Storage Capacitor 설계 |
| 초록 | 고해상도, 고휘도 TFT-LCD를 구현하기 위해서는 LCD 패널의 개구율 향상이 필수적이지만, 개구부 면적의 제약으로 인하여 한계가 존재한다. 본 논문에서는, passivation photolithography와 dry etching 공정을 통하여 storage capacitor의 절연막 두께를 낮추는 새로운 storage capacitor 구조를 제안하고, 이를 통한 전극면적의 감소 및 개구율 향상을 도모한다. Five-mask 공정을 이용하여 화소 설계 및 시뮬레이션을 진행하였으며, 개구율이 65%로 향상됨을 확인하였다. |
| 저자 | 박용길1, 김정열1, 이재현2 |
| 소속 | 1삼성전자 공과대, 2삼성전자 LCD총괄 |
| 키워드 | TFT-LCD; aperture ratio; storage capacitor |
