| 초록 |
현재 나노미터 식각 공정에서 continuous plasma의 한계를 극복하게 위해 pulsed plasma를 이용을 하여 앞의 문제점을 해결을 하려고 시도하고 있다. Pulsed plasma를 이용한 식각 공정은 플라즈마의 plasma on-off, plasma frequency, duty cycle 등을 도입을 하여서 CW plasma에서 사용되어왔던 여러 가지 조건 등을 조절을 할 수가 있어서 selectivity 및 anisotropic etch 등을 제어할 수가 있다. 또한 Pulsed Plasma는 bias, source, RF power를 동시에 키는 synchronized 또는 phase shift를 주어서 식각하는 asynchronized 등의 pulse plasma의 다양한 특성을 조절하여 앞서 말한 단점들을 줄일 수가 있지만, 아직까지는 완벽한 매커니즘 분석 등을 알 수가 없는 상황이다. FE-sem으로 프로파일 및 식각깊이를 관측하였고, OES로 Bcl3,AR 같은 가스의 intensity를 측정하였으며, xps로 원자의 함량을 측정하였다. 본 연구에서는 Pulsed plasma를 이용한 TiO2 식각 공정을 통해 CW대비 식각 시 문제점 개선 효과와 그에 대한 매커니즘 분석을 위해 다양한 분석툴을 이용하여 확인하였다. |
