| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2000년 봄 (04/21 ~ 04/22, 한양대학교) |
| 권호 | 6권 1호, p.2025 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 화학기상증착법을 이용한 Titanium Nitride의 제조 |
| 초록 | 본 연구는 TEMAT를 이용한 화학 증착 공정을 통하여 성장 속도와 막 특성등을 알아보았다. Ar, He, N2를 운반기체로 사용한 경우 350℃에서 표면 반응에서 기상 반응으로의 전이 영역이 나타났고, H2를 운반 기체로 사용할 경우 400℃까지 전이 영역이 나타나지 않았다. 이전의 in-situ FT-IR기상 분해 실험과의 비교시 이는 수소분위기에서 전구체의 기상 반응이 저해되기 때문으로 생각되어 진다. Ar의 경우 증착를 위한 전체 활성화 에너지는 68KJ/mol이었으며, 운반 기체에 따라 큰 차이를 볼 수 없었다. 박막의 저항은 증착 온도가 증가할수록 감소하였으며 시간이 증가함에 따라 증가하는 경향성을 나타내었다. 종횡비 1:5 인 pattern wafer위에 증착된 층덮임율은 250℃에서 약66%을 얻었다. |
| 저자 | 김성재, 김도형 |
| 소속 | 전남대 |
| 키워드 | TEMAT; TiN; CVD |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
