| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 | 14권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | AgInSbTe 기반 상변화 메모리 소자의 동작특성 연구 |
| 초록 | 최근 들어, DRAM을 대체할 만한 고집적성과 SRAM의 빠른 속도, 플래시 메모리의 비휘발성 및 모바일 기기에 적합한 낮은 소비전력을 모두 만족하는 이른바 유니버설 메모리로서 상변화 메모리(Phase change memory)에 대한 연구가 지속적으로 진행되고 있다. 현재 상변화 재료로 가장 활발히 연구되고 있는 물질은 GeSbTe 계의 chalcogenide 화합물로 이미 소자 형태로 제작되어 그 특성이 평가되고 있으나, 기록 신뢰성 등의 문제로 이를 대체할 새로운 상변화 재료의 탐색이 필요하다. 본 연구에서는 GeSbTe와 함께 상변화 재료로 널리 쓰이고 있는 AgInSbTe 계 화합물을 이용하여 상변화 메모리 소자를 제작하고 이의 동작 성능을 평가하였다. Mo 전극을 이용한 수직형 구조로 제작된 AgInSbTe 소자를 I-V sweep test로 평가한 결과, 2.5V 대의 낮은 문턱전압에서 상변화가 일어났으며 이에 따라 소자의 측정 저항이 100배 이상 변화하는 것을 확인하였다. 또한 SET/RESET cycling test 결과 소자에 약 1만번 이상의 데이터 기록에 성공하였다. |
| 저자 | 황재연, 홍성훈, 이헌 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | AgInSbTe; 상변화 메모리; Phase change memory; PRAM |
