| 초록 |
CdTe는 물질 자체의 에너지 갭이 1.45eV인 직접 천이형 반도체로 에너지 변환 효율이 높고 다양한 방법을 이용하여 다양한 형태로의 성장이 가능하다. 이러한 CdTe는 주로 태양전지의 흡광층으로 사용되며 그 밖에도 Magnetic sensors, Memory cells, LED등 다양한 분야에 적용되고 있다. 본 연구에서 CdTe 성장에 사용하는 전착법은 성장이 용이하고 대면적 증착이 가능하며 제조단가가 저렴하다는 특징이 있다. CdTe 전착에 매우 중요한 Te의 농도에 따른 형태의 변화와 결정성을 확인하고 상온에서 90℃ 범위 내의 증착온도가 어떠한 영향을 미치는지 알 수 있도록 한다. 적합한 전착조건에 의해 박막부터 나노선 구조까지의 다양한 형태를 가지는 CdTe 성장을 확인하였으며 전해액의 농도에 따른 CdTe의 성분분석을 통해 반도체로서의 성질도 제어할 수 있다. 본 연구에서는 전착cell을 3전극으로 구성하였으며 각각의 전극은 Working electrode : CdS/ITO/Glass substrate, Reference electrode : SCE (Saturated calomel electrode), Counter electrode : Pt sheet를 사용하였다. |
