| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2003년 봄 (04/11 ~ 04/12, 연세대학교) |
| 권호 | 28권 1호, p.10 |
| 발표분야 | 특별 심포지엄 |
| 제목 | Photoresist의 개요와 소재의 개발동향 |
| 초록 | Photoresist는 반도체 및 Display의 집적회로 제조에 사용되고, 반도체의 고집적화, 즉 미세화의 요구에 대응하여 왔다. 특히 반도체 디바이스에 있어서 Photoresist의 선택은 미세가공 기술과 밀접한 관계가 있고 Lithography의 동향에 맞추어 반도체 소재가 개발 되고 있다. 먼저 Lithography의 동향을 살펴보면 1970년대는 마스크와 웨이퍼를 밀착하여 노광하는 밀착 노광법이 주류였으나 1980년대는 웨이퍼와 마스크를 밀착시키지 않는 축소투영 노광장치가 이용되었다. 이 노광 장치는 렌즈를 이용한 광학계에 있어서 색수차(파장에 의해 굴절률이 다른 초점이 나타남)를 막기 때문에 하나의 파장 g-선(436nm)이 이용되었으며 Resist로는 노볼락수지, DNQ(디아조나프토퀴논)에서 Posi형 resist가 이용되었다. 그 후 광학계의 고성능화에 의해 노광 파장은 g-선(436nm), i-선(365nm)으로의 단파장화가 나타났으며, 1990년대에 들어서 더욱 더 요구되는 고집적화로 인해 Deep-UV용 노광 장비가 개발되었다. 이 노광 장비는 고압 Xe-Hg 램프를 광원으로 하는 반사 광학계 장치와 KrF(248nm의 광원) excimer laser를 광원으로 하는 축소형 노광 장비가 있으나 둘 모두 g, i-선에 비해 웨이퍼 면에서의 노광 강도가 약하기 때문에 이에 대응 할 수 있는 고감도의(10배 이상의 고감도 resist가 필요) 새로운 Resist 소재의 개발이 요구되었다. 이에 따라 PHS(polyhydroxystyrene)를 base로 하는 화학증폭형 KrF 소재가 개발되었으며, 더욱 더 미세화가 요구되어지는 현재, ArF(193nm)에서는 193nm 에서 높은 투과율을 보이는 Acrylate polymer base의 화학증폭형 소재가 개발되고 있다. |
| 저자 | 김상태;송형수 |
| 소속 | 동우화인켐㈜ 기술(연) |
| 키워드 | |
