| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2000년 가을 (10/20 ~ 10/21, 포항공과대학교) |
| 권호 | 6권 2호, p.2881 |
| 발표분야 | 공정시스템 |
| 제목 | 고밀도 플라즈마 식각 반응기의 Sheath dynamics해석 |
| 초록 | 고밀도 플라즈마의 sheath 영역은 반도체 산업의 플라즈마 증착 및 식각 공정등에서 중요한 역할을 하며 많은 과학적 연구의 대상이 되고 있다. 이러한 sheath 영역에 관한 연구는 플라즈마를 이용한 표면반응 메커니즘들의 이해를 위해서 선행되어야 한다. Rf sheath에 관한 문헌들은 상당히 많으며 최근의 연구결과들은 실제로 무거운 이온의 거동을 고려한 효과적인 전기장을 적용하여 rf sheath영역을 해석한 결과들이 보고되고 있다. 본 연구에서는 모든 rf 주파수의 고밀도 플라즈마 환경에서 사용할 수 있는 Panagopoulos 와 Economou의 반경험적sheath 모델을 사용하여 sheath영역 해석에 필요한 정보를 얻어내었다.3 얻어진 결과를 이용하여, 기판표면에 도달하는 이온들의 입사각분포는 3차원drifted Maxwellian 분포를 적용하여 구하였다. |
| 저자 | 임연호, 박진수, 최창선, 한윤봉 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | |
| 원문파일 | 초록 보기 |
