| 초록 |
TiN 완충층을 사용한 Si 기판 위에 SrTiO3/BaTiO3 초격자 박막과 (Sr1/2.Ba1/2)TiO3 고용체 박막을 PLD를 이용하여 에피성장 시켰다. 박막의 결정성, 미세구조, 표면거칠기 등을 X-선 회절기, 주사전자현미경, 원자간력 현미경, 투과전자현미경 등을 이용하여 조사하였다. SrTiO3/BaTiO3 초격자 및 (Sr1/2.Ba1/2)TiO3 박막의 성장을 위하여 Si(100) 기판 위에 TiN 버퍼층을 700℃, 9.0× 10-6torr에서 8Hz의 주기로 PLD를 이용하여 100nm 두께 증착하였다. 그 후 SrTiO3/BaTiO3 초격자 제조를 위하여 650℃, 9.0× 10-6 torr에서 각각의 층을 1분씩 20회 반복하였고, (Sr1/2.Ba1/2)TiO3 고용체 박막제조를 위하여 700℃, 9.0× 10-6torr에서 주기를 10Hz로 하여 20분간 증착하였다. 그 결과 SrTiO3/BaTiO3 박막의 경우 X-선 및 투과전자현미경 상에서 에피성장됨을 확인하였고 각 층의 두께는 5 nm 정도 였다. (Sr1/2.Ba1/2)TiO3의 경우 X-선 pole-figure scan 결과로 부터 에피성장된 것을 확인하였다. 두 박막이 보여주는 전기적 특성에의 차이점에 대하여 논의할 것이다. |
