| 초록 |
Radio frequency(RF) 마그네트론 스퍼터링 방식을 사용하여 Si(111)기판 위에, zinc oxide(ZnO) 박막을 증착하였다. 원자들이 박막표면에서 이동을 쉽게 할 수 있게 400℃로 기판의 온도를 유지했고, 성장압력을 2.4x10-2 Torr와 같이 낮게 유지했으며 유입가스는 산소나 아르곤을 사용하여 성장하였다. 이 조건하에서 초기 버퍼층 성장시 유입되는 분위기가스의 상태를 다르게 해서 증착한 샘플과 버퍼층의 성장과 박막의 성장 사이에 질소분위기의 실시간 열처리를 한 샘플의 광학적, 구조적 성질을 고찰하였다. 증착된 ZnO 박막들에 상온 및 저온 광발광특성을 측정하여 발광현상을 관찰한 결과 녹색발광 영역의 강도가 감소되며, 자외선발광 영역의 강도는 증가되고 반측폭이 감소되는 것을 볼 수 있었다. 동시에 고분해능 X-선 회절장치로 측정한 ω-rocking 그래프의 반측폭도 감소하는 것을 볼 수 있었다.특히 산소와 아르곤을 동일비율로 사용한 분위기가스로 증착한 버퍼층을 도입했을 때 가장 강한 자외선발광 영역의 강도 증가와 반측폭 감소를 보였다. |
