| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2003년 봄 (04/25 ~ 04/26, 순천대학교) |
| 권호 |
9권 1호, p.85 |
| 발표분야 |
공업화학 |
| 제목 |
Solvothermal method에 의한 인듐주석산화물(ITO) 나노입자의 제조 및 물성 평가 |
| 초록 |
보통 ITO막은 In2O3-SnO2 고농도 소결체를 이용한 스퍼터링 법에 의해 막형태로 성형되어 사용되어 진다. 스퍼터링법에는 여러 가지 방법이 있는데, 진공중에서 직류 또는 고주파 방전에 의해 발생한 불활성 가스 이온을 타깃 (도전성재료) 표면에 가속충돌시키고, 이타깃을 구성하는 원자를 표면으로부터 떨어져 나오게 하고 이것을 지지체 표면에 침착시켜 투명 도전층을 형성하는 수단 등이 있다. 스퍼터링법은 어느 정도 큰 면적의 것일지라도 표면 전기 저항이 낮은 도전층을 형성할 수 있다는 점에서 우수하다. 그러나, 장치가 대형이며 막형성속도가 느리다는 등의 문제점이 있다. 향후, 도전층의 대면적화가 진행됨에 따라, 장치의 대규모화가 예상된다. 장치의 대규모화는 제어정밀도에 의해 고도화가 더욱 요구된다는 기술면에서의 문제나, 제조비용 증대 등의 제조효율 면에서의 문제를 발생시킨다. 또한, 타깃수를 증가시킴으로써 막형성속도의 향상을 도모하고 있지만, 이것도 장치의 대규모화의 한 원인이 되고 있다. 본 연구에서는 지금까지 전도성 물질인 ITO 나노 입자를 기상에서 제조하는 기술과는 전혀 다른 새로운 합성법(Solvothermal method)을 도입하여 ITO 초미립자를 합성하고 적절한 바인더와 혼합하여 필름에 코팅시켜 투명 전도성 박막을 만든 후 이에 대한 전도성 및 여러 가지 물성을 평가하고자 하였다. |
| 저자 |
강미숙1, 장재훈1, 박상혁1, 이용래2, 이종호2, 홍영기2
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| 소속 |
1경희대, 2SKC 중앙(연) |
| 키워드 |
Solvothermal method; ITO; 나노입자
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
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