| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2003년 봄 (04/25 ~ 04/26, 순천대학교) |
| 권호 | 9권 1호, p.970 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 스핀정보를 이용한 메모리 소재 및 소자 |
| 초록 | 2000년 초 미국의 국가과학기술자문회의 기술위원회가 차기 산업혁명을 선도할 수 있는 국가 나노기술 개발을 제안하면서 컴퓨터 하드디스크 드라이브용 GMR 헤드를 나노기술의 가장 대표적인 응용예로서 제시할 정도로 전자의 스핀특성을 이용하고자 하는 노력은 최근들어 더욱 활성화되었다. 특히, MRAM(Magnetic RAM)은 불휘발성, 동작속도, 고밀도화, 구동전력, 등 여러 가지 면에서 차세대 메모리 소자 제1순위로 각광을 받고 있어서 2005년 이내에 상업화될 전망이다. 원리적으로 메모리소자는 논리소자로 개량될 수 있어서 스핀 트랜지스터(spin transistor), 자성반도체 등이 현실화될 수 있는 가능성이 매우 높은데, 이러한 경우 21세기에는 20세기 하반기에 산업을 주도한 electronics'시대를 지나 spintronics' 시대를 맞이하게 될 전망이다. |
| 저자 | 신경호 |
| 소속 | 한국과학기술(연) |
| 키워드 | spintronics; memory; HDD; MRAM; Spin FET |
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