| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (05/10 ~ 05/12, 광주 김대중컨벤센센터(Kimdaejung Convention Center)) |
| 권호 | 21권 1호 |
| 발표분야 | 디스플레이 |
| 제목 | 트랜지스터의 열적 안정성과 전하이동도를 향상시키기 위한 벤조트리아졸 기반의 고분자에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구에 쓰인 물질은 벤조트리아졸을 주사슬에 삽입하는 동시에 분자내/외적으로 F···S, F···H-C, C-F···πF 또는 S···O 상호작용을 통해 주사슬의 평면화도를 높일 수 있게 분자 내 불소(PTBTz-F)나 산소 원소(PTBTz-OR)를 도입한 고분자 두 종류와 평면화도를 고려하지 않고 합성한 고분자(PTBTz)를 이용해 분자의 구조에 따른 트랜지스터 특성을 살펴보았다. 고분자 세가지를 트랜지스터의 활성층으로 이용한 결과, 불소를 도입한 고분자, PTBTz-F의 경우 평면화도가 높아 트랜지스터의 성능이 가장 우수하게 나타났으며 고분자의 평면화도가 제일 낮은 고분자, PTBTz 에서 트랜지스터의 성능이 가장 낮게 나타났다. 열안정성 역시 트랜지스터 특성과 같은 경향이 나타났으며 특히 PTBTz-F의 경우는 X선 실험을 통해 열처리에 따라 결정 배양이 전하 이동에 유리하게 face-on 에서 edge-on 으로 변한다는 사실을 확인할 수 있었다. |
| 저자 | 안태규 |
| 소속 | 한국교통대 |
| 키워드 | 고분자; 트랜지스터; 평면화도 |
