| 초록 |
발광 효율이 우수하고 반응속도가 빠르며 고휘도 및 긴 수명 등의 여러가지 장점을 가지는 GaP 단결정 기판은 적색과 녹색 발광소자에 널리 사용되고 있다. GaP 재료는 융점이 1467°C 이고 분해 압력이 37기압으로 대구경의 단결정 성장이 매우 어려운 특성을 가지고 있다. 그러나 본 연구에서는 이러한 높은 증기압의 P를 차단하기 위하여 고압 LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) 성장법을 이용하여 직경이 2인치인 단결정을 제조하였다. GaP 단결정은 GaAs 단결정 제조와는 달리 Ga과 P를 직접 LEC 장치에 장입하여 단결정을 제조하기가 어렵다. 그래서 먼저 HB (Horizontal Bridgman) 장치를 이용하여 다결정 GaP를 합성 제조하고 이 다결정 GaP를 고압 LEC 장치에 장입하여 단결정을 성장시켰다. 이렇게 성장된 GaP 단결정으로부터 적절한 열처리와 Slicing, Grinding, Lapping, Etching, Polishing 등의 가공공정을 거쳐서 최종적인 발광소자용 GaP 기판을 제조하였다. |
