| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코) |
| 권호 | 21권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 | Scaling of data retention statistics in sub 20nm phase-change memory |
| 초록 | Chalcogenide 계열 GeSbTe 물질은 결정질과 비정질의 가역적 상변화가 쉽게 이루어져 CD, DVD 등의 광디스크 저장 매체에 널리 사용되고 있다. 비휘발성 메모리로서도 기존의 NAND Flash에 비해 속도 및 신뢰성이 높으며, DRAM에 비해 작은 메모리 셀을 만들 수 있는 장점이 있다. 또한, 기존 실리콘 공정에 쉽게 채용될 수 있으며, MRAM, ReRAM에 비해 공정기술이 성숙되어 있어 양산이 가장 가까운 상태이다. 본 연구는 비휘발성의 메모리의 중요한 신뢰성 항목인 데이터 보존 능력 관점에서 10nm 이하급에서의 Scaling 규칙을 연구하였다. Phase-field 법을 사용하여 1000개 이상의 메모리셀에서 핵생성과 성장을 모델링하여 Retention time의 통계를 생성하였고, 그로부터 Lognormal Cumulative Distribution을 얻어내었고, 그 Distribution의 Size 의존성을 정량화하였다. |
| 저자 | 조영재, 권용우 |
| 소속 | 홍익대 |
| 키워드 | <P>상변화메모리; 결정화속도론; 나노재료 </P> |
