| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
1996년 가을 (10/18 ~ 10/19, 경북대학교) |
| 권호 |
2권 2호, p.2595 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
실리콘의 Orientetion이 산소 플라즈마에 의해 제조된 실리콘 산화막의 전기적 특성에 미치는 영향 |
| 초록 |
본 연구에서는 ECR 산소 플라즈마를 사용하여 하단 전자석에서부터 실리콘 웨이퍼까지의 거리, 마이크로파 출력, 반응 시간, 실리콘의 Orientation을 변수로 하여 실리콘 산화막을 제조하였고 이때 각 변수들이 Si/SiO2 계면에 미치는 영향과 전기적 특성을 관찰하였다. 또한 600℃에서 N2 분위기로 1시간동안 열처리 한 후 Si/SiO2 계면의 상태와 전기적 특성을 고찰하였다. Doping density(NA)가 2.528×1016/㎤인 산화막의 Cmax (maximum capacitance)는 663.333 pF으로 나타났고 VFB (Flatband voltage)는 -2.52 volt로 계산되었다. Si/SiO2 계면에서 전하의 밀도를 알 수 있는 interface charge density는 Qf＋Qit로 정의되며 high-low capacitance로부터 interface charge density 값이 8.325×1011/㎠ 임을 계산 할 수 있었다. 이 값은 Carl D. A. 등이 ECR 산소 플라즈마를 이용하여 마이크로파 출력이 700W 이고 본 실험조건보다 높은 온도인 400℃에서 제조한 두께 220Å의 실리콘 산화막의 interface charge density와 크게 차이나지 않음을 알 수 있다[6]. 플라즈마를 이용하여 저온에서 공정을 수행한 본 실험으로부터 얻은 Dit는 매우 작은 값임을 알 수 있었으며 이로부터 전기적 특성이 매우 우수함을 알 수 있었다.
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| 저자 |
허정수1, 전법주2, 오인환*, 임태훈*, 정일현
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| 소속 |
1단국대, 2*한국과학기술(연) |
| 키워드 |
실리콘 산화막; interface trap density; interface oxide charge density
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
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