| 초록 |
게이트 절연막의 높은 유전상수와 반도체 소재와의 우수한 계면 접합 특성은 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시키는 중요한 요소로 작용한다. 최근 들어 유연 기판위에 용액 공정 및 저온 공정으로 고유전율의 유전체 박막을 형성하고자 하는 기술이 새롭게 대두되고 있으며, 대표적인 응용분야로 유연 디스플레이를 구성하는 박막 트랜지스터의 게이트 절연체를 예로 들 수 있다. 본 연구에서는 실록산계 전구체를 이용하여 공정 온도를 제어하고 용액공정으로 유연 기판 위에 게이트 절연막을 제조하였다. 250 oC에서 200 nm의 두께로 제작된 게이트 절연막은 5 이상의 높은 유전 상수와 250 pF/mm2 이상의 높은 정전 용량을 나타내었다. 이를 이용하여 150 oC에서 제조한 ZnO 박막 트랜지스터는 5 V 미만의 낮은 전압으로도 구동됨을 출력 특성을 통해 확인하였다. 또한 전달 특성 그래프로부터 점멸비 3.16E+07, 문턱전압 2.28 V 그리고 이동도가 10 cm2/V.s 이상임을 확인하였으며, 이를 통해 저온 용액 공정으로 유연 디스플레이에 적용 가능한 우수한 절연막의 제조가 가능함을 제시하고자 한다. |
