| 초록 |
III-V족 반도체 물질은 높은 이동도로 인한 디바이스 속도의 향상이 가능하여 Si 기반 반도체의 한계를 극복할 유망한 대안으로 연구되고 있다. 이 중 3성분계 III-V 물질은 3족 원소의 비율 조절을 통하여 mobility, bandgap 등의 조절이 가능한 장점이 있으나, 아직 2성분계 물질에 비하여 연구가 부족하다. 본 연구는, 3성분계 III-V족 반도체 물질 중 InGaAs를 다양한 조건으로 wet chemical 처리 후 wafer 표면에서 어떤 변화를 보이는지를 관찰하고, 그 메커니즘을 파악하여 III-V족 화합물 반도체 세정 공정 개발에 필요한 데이터를 확보하는 것이 목적이다. 본 연구에서는 InGaAs 웨이퍼를 산성 (HCl/H2O2/H2O), 염기성 ( NH4OH/H2O2/H2O) 및 중성 (H2O2/H2O)용액에 담지한 후, 표면 상태 및 산화 상태의 변화를 측정하였다. 또한 처리 용액의 산화제로 H2O2 대신 오존수를 사용하여 표면 처리를 진행 후 표면 특성을 관찰하였고, 더 나아가 3성분계인 InGaAs의 표면 변화를 2성분계 물질인 GaAs의 표면 상태와 비교하여 3족 원소의 차이로 인한 산화 거동의 차이를 비교하였다. Wet chemical 처리 후 InGaAs에서 용액에 따른 산화 경향성은 산＞염기＞중성 용액 순으로 나타났다. 산화막의 두께 및 oxide ratio는 InGaAs가 GaAs에 비하여 적게 형성되는 것으로 확인되었다. |
