| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 봄 (05/18 ~ 05/20, 여수 디오션리조트 ) |
| 권호 | 22권 1호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | The effects of annealing on electrical and crystalline properties of ZnO thin film by atomic layer deposition. |
| 초록 | P타입의 ZnO박막은 박막형 트렌지스터에서 활성층에 이용한 전기적 장치에 흥미롭게 사용되고 있다. 이러한 ZnO박막은 ALD(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 Si 기판에 증착시켰으며, 증착된 ZnO박막은 기존에는 N타입으로 성장이 된다. 그렇지만 ZnO박막을 RTA(Rapid Temperature Annealing)을 사용하여 온도와 시간을 조절함으로써 N타입이었던 ZnO박막이 P타입으로 변화하는 것을 보았다. ZnO박막의 특성의 변화는 SEM으로 두께를 보았으며, XRD를 이용해 ZnO박막의 결정성 변화를 확인하였으며, Hall Effect를 이용하여 전자농도, 이동도와 저항 등을 확인하였다. |
| 저자 | 조승희, 김대식, 정우섭, 김철, 변동진 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | <P>ZnO Thin Film; Atomic Layer Deposition; Annealing</P> |
