| 초록 |
CuAlSe2 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 CuAlSe2 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판 (반절연성 -GaAs (100))의 온도를 각각 680 ℃ , 410 ℃로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선 (DCRC) 으로 부터 구하였다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 293 K에서 운반자 농도와 이동도는 각각 9.24×1016 /cm3, 295 cm2/V․s였다. CuAlSe2 /SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 2.8382 eV-(8.86×10-4 eV/K)T2/(T＋155 K)였다. 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.2026 eV이며 spin-orbit Δso값은 0.2165 eV임을 확인하였다. 10 K일 때 광전류 봉우리들은 n=1일때 A1-, B1-와 C1-exciton 봉우리임을 알았다 |
