| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | 탄소나노튜브를 이용한 SiC, SiCN 나노와이어의 성장 |
| 초록 | SiC 나노와이어의 제조방법은 크게 4가지 분류로 나뉘어 지며, 전형적인 열탄화법, 화학기상증착법, laser ablation, CNT-confined reaction 등이 있다. 그 중 CNT-confinement reaction은 전형적인 VS (vapor-solid) 성장기구를 이용하는 방법으로서 몇몇 연구가 진행되었으나, 아직 성장기구와 반응변수에 관한 영향 면에서 논란이 되고 있다. 본 연구에서는 탄소나노튜브가 성장된 기판을 사용하여 화학기상증착법을 통하여 SiC 나노와이어를 성장시켰으며 그 물리작 특성과 성장기구를 평가하였다. 성장된 나노와이어는 분말을 사용하여 성장시킨 경우와 큰 차이를 보였으며, 이는 성장기구와 탄소나노튜브의 표면에서 C의 이동이 다르기 때문임을 알 수 있었다. SiCN 의 경우에서도 마찬가지 거동을 보이고 있다. 그러나, 표면 증착과 내부 차임 현상에서 성장방법에 따라 큰 차이를 나타냄을 알 수 있었으며, 그 주된 원인은 C 원자의 휘발과 Si-C-N 결합에너지의 차이에서 유래한다고 볼 수 있다. This research was supported by a grant(code #:04K1501-03110) from 'Center of Nanostructured Materials Technology' under '21st Century Frontier R&D Programs' of Ministry of Science and Technology, Korea. |
| 저자 | 노대호1, 김재수2, 변동진1, 양재웅3, 이재훈4, 김나리1 |
| 소속 | 1고려대, 2한국과학기술(연), 3대진대, 4생산기술(연) |
| 키워드 | 나노와이어; SiC; SiCN; 탄소나노튜브 |
