| 초록 |
TCNQ는 네개의 시아노기(-CN)를 가지는 n-type 유기반도체 물질로 금속 또는 전자 주개 물질과의 charge transfer complex를 잘 이루기 때문에 유기 메모리 소자 등에 많이 적용되어왔다. 그러나 TCNQ는 낮은 전하이동도 및 고분자 박막 위 박막 성형성이 낮아 유기 전계 효과 소자로의 적용은 제한적이다. 본 연구에서는 고분자 절연체 위에 TCNQ 박막 성형성을 향상시켜 고성능의 n-type 트랜지스터를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 이를 위해 다양한 화학 구조를 가진 고분자를 사용하여 고분자 표면 개질 및 고분자 표면과 TCNQ 사이의 계면 조절을 통해 고분자 절연체 박막 위 TCNQ 박막 성형성을 높였다. O2 Plasma 처리를 통해 고분자 절연체 표면과 TCNQ와의 결합력을 증가시켰으며 6,10-pentacenequinone을 고분자 절연체와 TCNQ 박막 사이 중간층으로 사용하여 TCNQ의 성형성을 높였다. O2 Plasma 처리 전,후의 고분자 절연체 박막 및 6,10-pentacenequinone 고분자 위 TCNQ 박막 성형성 차이는 atomic force microscope(AFM)을 이용하여 관찰하였으며 관찰된 결과를 통해 n-type TCNQ 박막 유기 전계 효과 소자를 제작하여 전기적 특성을 확인하였다. |
