| 초록 |
본 연구에서는 기존의 Integration mode에 널리 사용되었던 비정질 셀레늄(amorphous selenium) 기반의 solid state sensor보다 높은 SNR, 저선량의 Photon counting mode에서의 높은 전기적 신호 및 동작 특성을 가지는 광도전체층의 제작을 위해 HgO, PbO, PbI2, CdTe의 특성을 비교하였다. 이는 낮은 bandgap energy, 낮은 pair creation energy, 높은 atomic number, 빠른 mobility의 기준을 통해 4가지 물질을 선정했으며, 각 powder는 screen printing method을 이용하여 전도성을 가진 ITO(Indium-tin-oxide)가 코팅된 glass에 3×3 size의 두께 250μm의 광도전체층을 제작하였다. 제작된 광도전체층의 상부에 Magnetic sputtering system을 사용하여 상부 전극을 1×1 size로 증착하였다. 실험을 통해 제작된 광도전체층을 I-V test를 통하여 X-ray 조사 시 Dark current, Sensitivity, SNR(Signal-to-noise ratio)를 측정하여 전기적 검출 특성을 정량적으로 평가하였고, SEM(Scanning electron microscope), XRD(X-ray Diffraction)를 통하여 물리적 특성을 평가 하였다. CdTe는 물리적 특성이 다른 물질에 비해 불안정하지만, Dark current가 낮고 Sensitivity가 높게 측정되어 전기적 검출 특성이 좋았다. 향후 구조적으로 최적화된 제작 공정을 위한 연구를 통해 보완해 나가야 할 것이다. |
