| 초록 |
본연구는 체적파 박막형 공진기(FBAR: Film Bulk Acoustic wave Resonator)소자는 일반적으로 동작주파수가 500MHz ~ 10GHz이며, 유전체 세라믹소자의 장점과 SAW소자의 장점을 동시에 갖고 있고, 특히 MMIC화가 가능한 차세대 고주파 수동소자로 주목받고 있다. FBAR소자를 이용하면 공진기, 대역통과 필터, 듀플렉서필터, VCO(voltage Controlled Oscillator) 등의 제조가 가능하다. FBAR 소자는 전극막 사이에 압전박막을 형성하여 제조되는데, 그 구조 형태에 따라, air-gap 형, Bragg-reflector 형, membrane 형으로 구분되어진다. 압전박막으로는 ZnO 박막과 AlN박막이 주로 사용되며 sputtering, CVD, ALD 공정 등으로 제조되는데, 박막의 c축 우선 배향성을 조절하는 것이 FBAR 소자 특성을 결정하는데 매우 중요하다. 본 연구에서는 MEMS 공정에 의해 Membrane 구조의 FBAR(Film Bulk Acoustic wave Resonator) 소자를 구현하고자 하였다. 이를 위해 Si 기판을 Back-etching 하여 membrane 구조를 제작하였고 압전층으로 ZnO를 Sputtering 공정에 의해 증착 후, 공정 조건에 따른 우선 배향성을 관찰하였다 |
