| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 23권 2호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | Characteristics of Kerfless Si wafer using stress induced metal layer |
| 초록 | 전해도금을 이용한 커프리스 초박형 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 스트레스를 유발하는 금속층의 스트레스를 변화시키기 위하여, 도금시간과 전류를 가변 하였으며, 이에 따른 박리되는 실리콘 웨이퍼의 두께 변화를 확인하였다. 박리된 실리콘 웨이퍼는 자발적(spontaneous)조건으로 박리되도록 진행하였다. 스트레스 유발 금속층은 니켈을 전해도금 하였으며, 실리콘과의 접착력을 좋게 하기 위하여 Ti seed layer를 사용하였다. 니켈이 증착된 실리콘 박막을 박리 후 잔류하고 있는 니켈을 산(acid) 용액을 이용하여 식각하였고, 30㎛ 두께의 초박형 실리콘 웨이퍼를 얻었을 수 있었다. 초박형 실리콘 웨이퍼를 원자층 증착법을 이용하여 Al₂O₃ 막을 증착하여 이에 대한 웨이퍼의 전하수명 특성을 평가하였다. 또한, Al₂O₃ 증착 후 패시베이션 특성을 향상시키기 위해 최적의 열처리 조건을 찾고자하였다. |
| 저자 | 김경민, 장효식, 차함초롬 |
| 소속 | 에너지과학기술대 |
| 키워드 | 전해도금; 커프리스; 초박형 실리콘 웨이퍼 |
