| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2002년 가을 (10/24 ~ 10/26, 서울대학교) |
| 권호 |
8권 2호, p.5094 |
| 발표분야 |
이동현상 |
| 제목 |
PECVD Chamber 구조가 SiO2 박막 증착의 균일도에 미치는 영향에 관한 연구 |
| 초록 |
본 논문에서는 SiH4/N2O/N2 혼합 가스를 사용하여 300mm 웨이퍼 표면에 균일한 SiO2 박막을 증착시킬 수 있는 최적의 PECVD 장비개발에 필요한 자료를 도출하기 위하여 유체역학적 전산모사로 chamber 구조에 따른 장비의 성능 및 특성을 예측, 분석하였다. 열전달만을 고려한 유체유동에 대한 3차원적 전산모사로 baffle 구조가 PECVD chamber 내부의 유체유동과 이에 따른 웨이퍼 표면 근처의 온도와 밀도의 분포에 미치는 영향을 예측하여 증착될 SiO2 박막의 균일도에 대하여 분석하였다. 또한 플라즈마의 물리적/화학적 특성과 표면화학반응을 모두 고려한 2차원적 전산모사로 웨이퍼 표면에서의 SiO2 박막증착속도의 분포를 예측하였다. 전산모사의 결과로 보아 증착되는 SiO2 박막의 균일도는 baffle 구조보다는 chamber의 형태나 공정조건에 더욱 영향을 받을 것으로 판단되었다. 또한 본 연구에서 고려한 공정조건에서는 구조에 따라 정도의 차이는 있지만 전체적으로 웨이퍼 중심에서 가장 자리로 갈수록 박막두께가 증가할 것으로 판단되었다. |
| 저자 |
김성재, 김헌창, 임계규
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| 소속 |
호서대 |
| 키워드 |
PECVD; SiO2; Uniformity; Numerical Simulation
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
초록 보기 |
