| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (10/22 ~ 10/24, 대전 DCC) |
| 권호 | 20권 2호, p.1964 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Directional slanted plasma etching of silicon under practical plasma processing conditions |
| 초록 | 3차원 Si 나노구조물은 반도체를 기반으로 한 마이크로전기기계시스템 (microelectromechanical system, MEMS) 뿐만 아니라 광소자(photonic crystal device), 디스플레이 소자 등 다양한 분야에 응용되고 있다. 경사형태의 3차원 미세구조물은 그 응용범위가 매우 넓음에도 불구하고 현재까지 보고된 제조기술은 공정이 매우 복잡하고, 정교한 미세구조를 구현하기가 어려워 응용이 매우 제한적이다. 본 연구에서는 플라즈마 식각으로 3차원 Si 나노 구조물을 제작할 수 있는 플라즈마 식각 방법을 제시하였다. 이온의 입사각도를 조절하기 위해 다양한 형태의 Faraday cage를 적용하였으며, 이를 플라즈마 식각공정과 접목하여 단/다방향 경사플라즈마 식각 공정을 개발하였다. 이 방법으로 형성한 Si 나노 구조물은 배열이 정교하고 제조공정이 간단하여 다양한 미세소자 제조 분야에 응용될 것으로 기대된다. |
| 저자 | 조성운, 김준현, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | slanted plasma etching; Faraday cage; nanostructure |
| 원문파일 | 초록 보기 |
