| 초록 |
반도체 공정기술의 발달로 반도체칩의 고집적화와 고속화의 추세가 급속하게 진행됨에 따라 배선 구조의 기하학적인 크기의 감소는 층간유전체(interlayer dielectrics)의 기생 축전용량(parasitic capacitance)을 증가시키는 결과를 초래하였다. 소자의 최소 선폭이 0.25 ㎛ 이하로 축소하게 됨에 따라 그 동안 사용되던 SiO2 산화막으로는 RC 지연을 억제하는 데 한계를 보이게 되었다. 이와 같은 이유로 SiO2보다 유전율이 작은 새로운 층간 유전체 재료를 도입해야 하는 필요성이 대두되었고, 새로운 물질의 개발을 위해 연구활동이 활발하게 이루어지고 있다. 본 연구에서는 화학적·열적 안정성이 우수한 저유전체 박막을 제조하기 위하여 PECVD법으로 SiCFO(fluoro-oxy-carbonated silicon)박막을 증착하고, 증착박막의 화학적·전기적 특성을 분석하였다. PECVD 공정변수가 증착속도와 특성에 미치는 영향과 제조된 박막의 열적 안정성에 관한 연구를 수행하였다.
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