| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | n-channel Schottky barrier S/D을 위한 Yb silicide 형성 |
| 초록 | Rare-earth(RE) silicides는 n-type의 Si과 낮은 schottky barrier heights(SBHs)를 형성하는 것으로 알려져 있어 low schottky barrier application에 응용될 수 있다. RE silicides 중 ytterbium silicide는 가장 낮은 electric work function을 갖고 있어 n-channel schottky barrier MOSFETs의 source/drain으로 매우 주목되고 있다. 그러나 Yb silicide는 Yb의 oxidation, pinhole 형성 등의 문제점을 갖고 있어 이를 극복하기 위해 Yb silicidation의 mechanism규명과 oxidation 방지를 위한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 열처리 온도에 따른 Yb silicide 형성에 대하여 연구하였다. n-type Si 기판 위에 DC sputtering 법을 이용하여 30nm 두께의 Yb을 증착하고, Yb의 oxidation을 방지하기 위하여 capping layer로 100nm 두께의 TiN을 증착하였다. 증착 후, 200, 300, 350, 400, 500, 600, 700℃의 진공 분위기에서 각각 1분간 rapid thermal anneal(RTA)을 이용하여 Yb silicide를 형성하였고, strip을 통하여 TiN과 unreacted Yb를 제거하였다. 4-point probe 측정을 통하여 Yb silicide의 전기적 특성을 평가하였고, XRD, EDX, TEM을 통하여 silicide 상을 분석하였다. Sheet resistance는 점점 감소하여 500℃에서 41.57Ohm/□의 가장 낮은 Rs를 나타내고, 보다 고온에서는 다시 증가하는 경향을 나타내었다. TEM 분석결과 amorphous 상태의 silicide가 400℃에서 Yb2-xSi의 crystalline phase로 silicide가 형성되었다. |
| 저자 | 나세권, 최주윤, 최화열, 김형섭, 이후정 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | RE silicides; ytterbium; silicide; schottky barrier; souce/drain |
