| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | TFT 소자에서 a- IGZO 채널 층의 In 분포 (Distribution of indium in a-IGZO channel layers for thin film transistors) |
| 초록 | 현재까지 능동형 구동 디스플레이의 thin film transistors (TFTs) 채널 층에 사용되고 있는 재료로 비정질 실리콘(a-Si)과 low temperature polycrystalline silicon (LTPS) 등이 고려되었다. 하지만 비정질 실리콘의 경우 localized tail states간의 hopping으로 인하여 이동도가 조절되기 때문에 2 cm2V_1s_1 이하의 낮은 이동도를 가지고, 다결정 실리콘의 경우에는 제조 단가가 비싸고 대면적화가 어렵다는 문제점을 갖고 있다. 이러한 단점들을 극복할 수 있는 재료로 비정질 산화물 반도체가 주목 받고 있다. 비정질 산화물 반도체는 이동도가 기존의 a-Si보다 높고 안정적인 소자 특성을 가지며 저온 진공 공정에서도 제작이 수월하다는 장점을 가지고 있다. 본 연구에서는 높은 전자 이동도를 가지고 전자의 농도를 제어하기가 좋은 amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO)에 대하여 연구하였다. DC sputter를 이용하여 증착한 a-IGZO에서의 In 분포 거동에 대하여 transmission electron microscope(TEM)과 auger electron spectroscopy(AES)를 통하여 살펴보았고, a-IGZO 증착 시 산소 농도 변화에 따른 전기적 특성은 I-V 분석을 통하여 Ion/Ioff ratio, 이동도, subthreshold swing, threshold voltage값 등을 분석하였다. |
| 저자 | 강지연, 이민정, 박지현, 이태일, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | Indium; Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO); TFT |
