| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/13 ~ 10/14, 제주 ICC) |
| 권호 | 30권 2호 |
| 발표분야 | 분자전자 부문위원회 |
| 제목 | Energy-level alignment at interfaces between metals and poly(3-hexylthiophene) according to structural change |
| 초록 | 최근 활발히 연구되고 있는 유기박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)에서 전극으로 금을 그리고 활성층으로 전도성 고분자인 Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)를 많이 사용하고 있다. P3HT는 전이온도 이상의 열처리를 하였을 경우에 규칙적인 층상 구조를 가지며 이를 AFM과 GIXD, UV를 통하여 규명하였다. 유기반도체에서 이러한 P3HT의 열처리효과에 따른 구조적인 차이가 금과 P3HT와의 계면에서 어떠한 영향을 주는 조사하기 위하여 synchrotron radiation photoemission spectroscopy를 사용하여 분석하였다1,2. 규칙적인 P3HT의 경우가 비규칙적인 P3HT의 경우보다 정공주입 장벽과 표면 다이폴이 크다는 것을 알 수가 있었다. 이 실험결과로부터 같은 물질이라도 열처리 조건에 따른 구조적인 차이에 의해서 금속과 유기물사이의 계면에서의 에너지 준위가 달라질 수 있다는 것을 알 수 있었다. FIG. 1. Schematic energy level diagrams of the interfaces between the P3HT and Au. (a) annealed P3HT, (b) unannealed P3HT. 참고문헌 1. H. Ishii, K. Sugiyama, E. Ito, K. Seki, Adv. Mater. 1999, 11, 605. 2. D. Cahen, A. Kahn, Adv.Mater. 2003 15, 271. |
| 저자 | 박영돈, 조정호, 김도환, 장윤석, 조길원 |
| 소속 | 포항공과대 |
| 키워드 | OTFT; Poly(3-hexylthiophene); interface |
