| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1999년 봄 (04/23 ~ 04/24, 성균관대학교) |
| 권호 | 5권 1호, p.1909 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 화학기상증착반응기에서 금속 갈륨(Ga)과 암모니아(NH3)의 직접반응에 의한 thick GaN 성장과 특성연구 |
| 초록 | 본 연구는 화학기상증착(Chemical vapor deposition)반응기에서 금속 갈륨(Ga)과 암모니아(NH3)를 이용하여 화학반응시키는 방법으로 thick GaN 박막을 (0001)방향의 사파이어(α-Al2O3) 기판위에 성장하였다. GaN 성장전, 사파이어 기판의 유기물과 metal, 산화막을 제거하기 위해 아세톤과 HCl, HF로 전처리 하였다. 성장된 thick GaN의 XRD 분석 결과 c-plane으로 성장된 강한 GaN(0002) peak을 관찰할 수 있었고, 금속 갈륨(Ga)과 기판의 거리가 3.5cm, 성장온도가 1070℃일 때 광학적특성과 결정성이 향상되었으며, 반폭치는 0.191°(688arcsec)로 관찰되었다. 이 연구에서는 성장된 thick GaN의 성장방향에 따라 그 발광 특성이 변하는 현상을 관찰할 수 있었으며, thick GaN 성장에 금속갈륨(Ga)과 기판의 거리, 성장 온도가 광학적, 구조적 특성에 영향을 끼침을 확인하였다. |
| 저자 | 양승현, 안상현, 남기석 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | Chemical vapor deposition; thick GaN |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
