| 초록 |
전자빔 이용 기술 영역은 고분자 재료, 환경, 반도체, 식품, 및 의약품 멸균, 표면처리등 다양한 분야에 응용이 될 수 있다. 이렇게 많은 연구 분야에서 각광을 받는 전자빔 이용 기술에 대하여 본 연구에서는 100 n-doped (100) 실리콘 웨이퍼에 2,10 MeV 단위의 전자빔을 상온, 대기중에서 조사하여, 이에 따른 웨이퍼 표면과 내부 결정학적 구조 변화를 HRTEM( High Resolution Electron Microscopy)를 이용하여 분석하였다. 그 결과 TEM 상에서 빗살무늬의 약 10 nm 정도의 크기의 점들이 다수 뱔견이 되었다. 이들은 전자빔 초기 조사 시에는 발견되지 않았으나 시간이 지남에 따라 그 수가 증가하였으며, 전자빔을 조사한지 20분이 경과된 뒤에는 그 이상 늘어나는 모습을 관찰 할 수 없었다. 이같은 모양의 점들이 생기게 되는 원인을 TEM 상에서 [100], [110] 방향으로 관찰하여 그 원인을 전자빔의 실리콘 웨이퍼에 대한 투과성, 비탄성 충돌과 더불어 결정학적 측면에서 분석하였으며, 또한 MeV단위의 전자빔을 조사한 시료를 TEM 내부에서 추가적으로 전자빔을 조사 시킴으로써 생겨나는 실리콘 결정의 결함과 비정질화, 그리고 후열처리를 통한 재결정의 모습을 고분해능 이미지를 이용하여 예측하였다. |
