| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 | 14권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | 핫엠보싱 공정을 이용한 50nm급 고분자 스탬프 제작에 관한 연구 |
| 초록 | 나노임프린트 리소그래피는 가장 유망한 차세대 리소그래피중 하나로 공정이 간단하고 경제적이기때문에 주목을 받고 있다. 하지만 아직까지 스탬프 공정 가격이 비싸고 복잡하기 때문에 다양한 방법의 새로운 제조 및 복제 방법이 연구되고 있다. 이 중 PDMS, PVA, PUA, PVC 등의 고분자를 이용한 복제 방법의 경우, 공정이 매우 간단하고 경제적이기 때문에 최근 주목을 받고 있고 이 중 PVC 고분자는 투명하고 가장 성형성이 우수하여 고분자 스탬프에 매우 적합한 소재이다. 이 논문에서는 핫엠보싱 공정을 통하여 50nm이하의 투명한 UV 나노임프린트용 스탬프를 제작하였다. 핫엠보싱 공정은 120도 이하의 상대적으로 낮은 온도와 10 기압 이하의 낮은 압력에서 이루어졌고, 핫엠보싱 결과 마스터 스탬프의 패턴이 그대로 PVC 고분자에 전사된 것을 확인할 수 있었다. 나노임프린트 스탬프로 사용하기 위해서 핫엠보싱된 고분자 스탬프에 10nm의 실리콘 옥사이드를 증착한 후 액상에서 SAM coating을 하였다. 복제된 고분자 스탬프를 이용하여 UV 나노임프린트 공정을 진행하였고 실리콘 기판 위에 50nm이하의 패턴을 깨끗하게 전사할 수 있었다. |
| 저자 | 홍성훈, 황재연, 이헌 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | 나노임프린트 리소그래피; 고분자 스탬프; 50nm |
