| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (05/19 ~ 05/20, 경상대학교 ) |
| 권호 | 12권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 승화법에 의한 CdSe 단결정 성장과 전기적 특성 |
| 초록 | CdSe 단결정을 수적 2단 전기로에서 승화법으로 성장하였다. 이 CdSe 단결정은 육방정계이고 외삽법으로 구한 격자상수 a와 c는 각각 4.299Å과 7.009 Å이었다. 이 CdSe 단결정은 n형 반도체이고 carrier density와 이동도는 각각 10cm와 2×10 cm/V sec 정도이었다. 이 값은 상온에서 van der Pauw 방법에 의한 Hall data로부터 측정되었다. 이동도는 온도가 33K에서 130K까지는 불순물 산란에 의해서 T에 비례하여 증가하지만 온도가 130K에서 293K에서는 격자 산란에 의해서 T에 비례하여 감소한다. |
| 저자 | 유상하, 홍광준 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | CdSe 단결정; 승화법; 불순물 산란; 격자 산란 |
