| 초록 |
비정질 In-Ga-Zn-O 박막 트랜지스터 (a-IGZO TFTs, thin film transistors)는 투명성, 균일한 전기적 특성 및 높은 전자이동도 등 많은 이점 때문에 poly-Si 박막 트랜지스터를 대체할 물질로 주목을 받고 있다. Back Channel Etch(BCE) type TFTs는 4 또는 5 Mask 공정으로 제조할 수 있기 때문에 기존 6 Mask 공정대비 제조단가가 저렴하다는 이점이 있다. 향후 고해상도 SHD급 평판디스플레이용 백플레인으로 사용하기 위해서는 높은 전자이동도를 가지는 비정질 IGZO 반도체에 낮은 비저항을 가지는 구리배선을 소스/드레인으로 사용해야 하며, 가격경쟁력을 갖추기 위해서는 BCE type TFTs 구조를 사용해야 한다. 아직까지는 구리 소스/드레인 구조를 가지는 BCE type a-IGZO TFTs의 특성에 관해서는 체계적인 연구가 미흡하다. 특히, BCE type a-IGZO TFTs의 경우 IGZO 채널과 직접 맞닿는 구리 하부 막의 증착 조건에 대해서 매우 민감하게 반응하는 것으로 나타났다. 본 연구에서는 구리 하부 막으로 몰리브데늄(molybdenum, Mo)을 사용하여 BCE type TFTs를 제작하였다. Mo 증착 시 sputtering power에 변화를 주었으며, 이에 따른 박막 특성 변화 및 TFTs의 전기적 특성 변화를 관찰하였다. |
