| 초록 |
반도체, 디스플레이 제작과정에서 중요한 공정 요소 중 하나는 세정공정이다. 반도체 Device의 고직접화, 미세화에 따라 세정은 중요하게 되었다. 현재 세정공정에 사용되는 주요세정액은 APM(SC1), SPM, HPM, BHF등이 있다. 이 세정용액들은 강산과 염기등으로 구성되어 있어 공정 후 처리에도 많은 처리가 요구되어 지며, 최근 환경정책에도 맞물려 많은 제약들이 생기고 있다. 이에 본 연구에서는 기존의 세정용액들을 사용하지 않고 약산과 플라즈마를 이용하는 새로운 세정방법을 연구하였다. 실험은 반도체 구리배선공정 후 발생되는 산화구리를 용해하는 방법을 사용하여 분석하였다. 약산 같은 경우 citric, succinic, lactic acid 같은 환경과 신체에 악영향이 많이 없는 산을 썼다. 약산의 효과를 최대로 발휘하기 위해 플라즈마를 접목시켜 효과를 분석하였다. 플라즈마 발생 시 양성자, 중성자, 라디칼, 전자등과 같은 활성종들의 발생과 shock wave와 같은 효과를 이용하여 용액의 활성도를 증가시켜 산화구리의 용해도 측정하였다. 연구에서 사용되는 플라즈마 반응기는 DBD방식이고, 용액의 온도를 제어 할 수 있게 제작되어 플라즈마 발생시 온도변화를 제어했다. 실험결과 따라 플라즈마 시스템을 적용했을 때 용해도가 올라 가는 경향을 보이는 산이 있었다. 하지만 그 효과가 아직은 온도 변수를 적용 했을 때와 비슷한 용해도를 가져, 시스템의 개선을 필요하다. |
