| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 |
23권 1호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 |
MTS를 소스로 이용한 고온화학기상증착법에 의한 SiC 단결정 성장 |
| 초록 |
단결정 성장기술 중 하나인 고온화학기상증착(HTCVD)법은 연속적인 원료공급이 가능하고 화학반응을 이용한 SiC 성장으로 고품위의 결정성장이 가능한 것으로 보고되고 있다. SiC 분말을 승화시켜 단결정을 성장시키는 물리적기상수송(PVT)법과는 달리 HTCVD법은 기상종(Si종, C종)간의 상호 비율에 따라 다양한 결정상 제어가 가능하며, 사용 기상종의 C/Si, Si/H 등의 상호 비율이 증착되는 증착물의 성장속도와 표면형상에 결정적인 영향을 미친다. 특히 C/Si의 비율에 따라서 성장 중 결정의 표면에서 결함이 발생하거나 3C-SiC의 inclusion이 발생한다고 보고되고 있다. 본 연구에서는 1:1의 비율을 갖는 Methyltrichlorosilane (CH3SiCl3)을 원료로 사용에 앞서 Si-C-H- Cl계에 대한 열역학적 계산을 선행으로 수행하였다. MTS는 Cl기를 포함하고 있어 공정 중 C/Si의 비율을 조절하고 내부 결함 및 3C-SiC 발생을 억제한다고 보고되고 있으며 본 연구에서는 이의 규명을 위하여 다양한 온도조건을 통하여 증착된 결정상을 분석하고 a-SiC 다결정이 증착 조건에서 단결정을 성장시킨 후 HRXRD, Raman, SIMS, Rocking curve 등을 분석하여 단결정의 품질을 평가 진행하였다. |
| 저자 |
유창형1, 강유라2, 이명현1, 서원선3, 정성민1
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| 소속 |
1한국세라믹기술원 에너지환경소재본부, 2세종대, 3한국세라믹기술원 선임연구본부 |
| 키워드 |
SiC; 결정성장; 고온화학기상증착법; HTCVD; 열역학
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