학회 |
한국재료학회 |
학술대회 |
2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
권호 |
16권 1호 |
발표분야 |
B. Nanomaterials Technology (나노소재기술) |
제목 |
절연층에 삽입된 실리콘 나노와이어 유연소자의 특성 (Characteristics of Si nanowires flexible device embedded in dielectric layer) |
초록 |
본 연구에서는 절연막에 삽입시킨 실리콘 나노와이어 유연소자를 제작하고 그 소자의 전기적 특성을 분석하여 유연소자로서의 적합성을 평가하였다. 최근 반도체 및 디스플레이 등이 다양한 현장에 응용되면서 유연성을 이용한 소자의 필요성이 대두되고 있다. 이러한 요구를 바탕으로 나노와이어를 유연소자에 적용시키기 위하여 삽입방법을 이용하여 field-effect transistor(FET) 소자를 제작하였다. 유연소자의 기판으로는 polyimide(PI) 및 poly(ethylene 2,6 naphtahalate)(PEN)을 사용하였고, 절연막은 poly-4-vinylphenol(PVP)을 이용하였으며 이때, 나노와이어는 무전해 식각법으로 합성한 실리콘 나노와이어를 사용하였다. 이렇게 제작된 유연소자를 휨 상태 및 삽입된 정도에 따른 전기적 특성을 비교하였고 휨 테스트를 통하여 소자의 안정성을 분석하였다. 전기적 특성은 I-V 측정을 통하여 Ion/Ioff ratio, 이동도, subthreshold swing, threshold voltage값 등을 평가하였다. |
저자 |
문경주, 최지혁, 전주희, 강윤희, 이태일, 명재민
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소속 |
연세대 |
키워드 |
flexible device; embedded method; Si nanowires; PI; PEN
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