| 초록 |
내열 특성과 기계적 물성이 우수한 PI(polyimide)를 OTFT와 같은 organic device에 적용하기 위해서는 고온 경화조건, 저온 용액 공정의 어려움 등의 단점을 보완해야하는 문제점이 있다. 따라서 본 연구에서는 아민 촉매를 사용한 이미드화 방법을 통해 저온 경화조건에서 PI를 제조하는 공정 개발을 목적으로 한다. 고리형 diamine기를 갖는 DABCO, DBU, diamine기를 갖는 TMEDAm monoamine기를 갖는 TPA, monoamine과 alcohol기를 갖는 DEAE 등을 모델 실험을 통해 촉매 종류와 함량에 따른 이미드화 반응 속도를 조사하였다. 또한 deuterium 치환 기질을 사용하여 이미드화 반응에서 나타나는 isotope effect를 조사하였고, 이미드화 반응에 대한 촉매작용의 부분적 메카니즘을 확인하였다. 이렇게 조사된 각각의 촉매들을 이용하여 OTFT gate insulator 등에 적용할 수 있는 PI박막을 제조하여 그에대한 평가를 실시하였다. |
