| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2008년 가을 (11/07 ~ 11/07, 차세대융합기술연구원) |
| 권호 |
14권 2호 |
| 발표분야 |
전자재료 |
| 제목 |
H2첨가 Plasma arc melting에 의한 Metal Si 정련 기초연구 |
| 초록 |
태양전지는 지구 환경 문제에 대응할 수 있는 신 에너지 기술로 세계적으로 관심과 개발이 집중되고 있다. poly-silicon은 규소의 가수분해 과정을 통해 생산되는 고순도의 다결정 분자구조를 지니는 화합물로써 발수성, 내화성, 산화 안정성, 저온 안정성, 가스투과성등 전기재료로서 우수한 물성을 가지고 있으며 이러한 특성으로 태양전지 모듈의 재료로서 각광 받고 있는 상태이다. 태양전지 생산에서 중요한 것은 7N 이상의 고순도 다결정 실리콘 기판을 경제적으로 제조하는 것이며 이 과정에서 고순도의 원료물질을 제조하는 것이 핵심적인 개발 목표이다. 이를 위하여 금속 실리콘을 용해하고 분순물을 제거하는 정련 기술의 개발이 필요하다. 현재 Simens법, FBR법등이 많이 사용되어지고 있는 정제법이며 이와는 별도로 복잡한 정제과정을 거치지 않고 야금학적인 방법으로 Metal Silicon을 태양광급 폴리 실리콘제조로 연구 개발되어 지고 있는 MG-SoG법이 있다. MG-SoG법의 한 일환으로써 본 연구에서는 프라즈마를 이용하여 고순도 실리콘을 정련하기 위한 공정을 연구하였다. 15kW 출력의 수직형 플라즈마 아크 용해로에서 Ar과 Ar+H2 혼합개스를 사용하여 정련하였으며 화학적 성분의 분석은 ICP-AES와 Mini-SIMS를 이용하였다. |
| 저자 |
이우민1, 송덕용1, 윤정모1, 박영구1, 장보윤2, 윤영수2
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| 소속 |
1전북대, 2한국에너지기술(연) |
| 키워드 |
plasma arc melting; poly-Si; refining
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| E-Mail |
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