| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2020년 가을 (10/28 ~ 10/30, 광주 김대중컨벤션센터(Kimdaejung Convention Center)) |
| 권호 |
24권 1호 |
| 발표분야 |
포스터-나노 |
| 제목 |
Ga2O3 nano-flake의 제작 및 응용 |
| 초록 |
Ga2O3는4.9eV의 큰 밴드갭 에너지와 8MV/cm이상의 높은 임계항복전장으로 인해 고온 환경에서 작동 가능한 고출력 소자 구현을 위한 새로운 물질이다. Baliga’s figure of merit는 약 3400로 GaN과 SiC 대비 4~10배에 달한다. Ga2O3 기반의 전자소자는 이론적으로 작동 저항이 동일한 항복전압에서 GaN와 SiC 소자에 비해 한 자릿수 이상 낮으므로 소자 크기의 감소와 고집적도에 효과적이다. 본 연구에서는 고주파유도결합플라즈마 식각 기법(ICP etching)을 이용한 (100)면 β-Ga2O3 플레이크의 건식 식각 특성을 조사하였으며, (100)면 Ga2O3 플레이크 기반 전계 효과 트랜지스터(FET) 의 수소 감지 특성을 분석하였다. ICP 식각 연구에 사용된 (100)면 Ga2O3 플레이크는 (-201) Ga2O3 단일 결정에서 기계적 박리법을 이용하여 얻어졌다. (100)면 Ga2O3 플레이크 기반 FET는 ICP 식각 및 반도체공정에 의해 제작되었다. 이번 발표에서는 ICP 식각 조건에 따른 (100)면 Ga2O3의 구조적, 전기적 특성과 (100)면 Ga2O3 플레이크 기반 FET의 수소 감지 특성이 논의될 예정이다 |
| 저자 |
김만경, 김유경, 장수환
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| 소속 |
단국대 |
| 키워드 |
gallium oxide; ICP etching; hydrogen; sensing
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| E-Mail |
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